LEEM-8 experimentell apparat för magnetoresistiv effekt

Kort beskrivning:

Obs: oscilloskop ingår ej

Enheten är enkel i struktur och rik på innehåll. Den använder två typer av sensorer: en GaAs Hall-sensor för att mäta den magnetiska induktionsintensiteten och en InSb-magnetoresistanssensors resistans under olika magnetiska induktionsintensiteter. Studenter kan observera Hall-effekten och magnetoresistanseffekten hos halvledare, vilka kännetecknas av forskning och designexperiment.

Skicka e-post till oss

Produktinformation

Produktetiketter

Experiment

1. Studera resistansförändringen hos en InSb-sensor kontra den applicerade magnetfältintensiteten; hitta den empiriska formeln.

2. Rita upp InSb-sensorns resistans kontra magnetfältets intensitet.

3. Studera AC-karakteristiken hos en InSb-sensor under ett svagt magnetfält (frekvensfördubblingseffekt).

Specifikationer

Beskrivning	Specifikationer
Strömförsörjning av magneto-resistanssensor	0–3 mA justerbar
Digital voltmeter	område 0–1,999 V upplösning 1 mV
Digital milliteslameter	intervall 0–199,9 mT, upplösning 0,1 mT