LEEM-10A experimentell apparat för PN-övergångens egenskaper

Kort beskrivning:

Introduktion

De fysikaliska egenskaperna hos halvledar-PN-övergångar är ett av de viktiga grundläggande innehållen i fysik och elektronik. Denna apparat använder den fysikaliska experimentmetoden för att mäta sambandet mellan diffusionsströmmen i PN-övergången och spänningen, bevisar att detta samband följer den exponentiala fördelningslagen och mäter Boltzmanns konstant (en av de viktiga konstanterna inom fysiken) mer exakt, vilket gör det möjligt för studenterna att lära sig en ny metod för att mäta svag ström. Denna apparat har en värmare med alternerande temperaturtermostat för att mäta sambandet mellan PN-övergångsspänning och termodynamisk temperatur T, för att erhålla sensorns känslighet och approximera energigapet för kiselmaterialet vid 0K. Denna apparat är stabil och tillförlitlig och har rikligt med fysikaliska experiment, tydligt koncept, rimlig strukturell design och hög noggrannhet i mätresultat. Denna apparat används huvudsakligen i allmänna fysikaliska experiment och designforskningsexperiment på högskolor och universitet.

Skicka e-post till oss

Produktinformation

Produktetiketter

Experiment

1. Sambandet mellan PN-övergångens diffusionsström och övergångsspänningen mäts, och detta samband ska bevisas följa den exponentiala fördelningslagen genom databehandling;

2. Boltzmanns konstant mäts mer noggrant (felet ska vara mindre än 2 %);

3. Lär dig använda en operationsförstärkare för att bilda en ström-spänningsomvandlare för att mäta den svaga strömmen från 10^-6A till 10^-8A;

4. Sambandet mellan PN-övergångsspänning och temperatur mäts och övergångsspänningens känslighet i förhållande till temperaturen beräknas;

5. Approximera för att beräkna energigapet för halvledarmaterialet (kisel) vid 0K.

Tekniska index

1. Likströmsförsörjning

En justerbar 0-1,5V DC strömförsörjning;

En justerbar 1mA-3mA DC-strömförsörjning.

2. LCD-mätmodul

LCD-upplösningsförhållande: 128×64 pixlar

Två digitala indikatorer för spänning. Område: 0-4095 mV, Upplösningsförhållande: 1 mV.

Område: 0–40,95 V, Upplösningsförhållande: 0,01 V